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Highly sensitive extended gate-AlGaN/GaN high electron mobility transistor for bioassay applications 期刊论文
Rsc Advances, 2017, 卷号: 7, 期号: 88
作者:  Ding, X. Z.;  B. Miao;  Z. Q. Gu;  B. J. Wu;  Y. M. Hu;  H. Wang;  J. Zhang;  D. M. Wu;  W. H. Lu and J. D. Li
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Improved performance of hole-transporting layer-free perovskite solar cells by using graphene oxide sheets as the nucleation centers 期刊论文
Rsc Advances, 2017, 卷号: 7, 期号: 72
作者:  Sun, X.;  T. Lin;  Q. G. Song;  Y. Fu;  Y. Wang;  F. M. Jin;  H. F. Zhao;  W. L. Li;  Z. S. Su and B. Chu
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Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文
Rsc Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 65
作者:  Liu, J. X.;  H. W. Liang;  B. H. Li;  Y. Liu;  X. C. Xia;  H. L. Huang;  Q. A. Sandhu;  R. S. Shen;  Y. M. Luo and G. T. Du
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Theoretical study on molecular packing and electronic structure of bi-1,3,4-oxadiazole derivatives 期刊论文
Rsc Advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 94, 页码: 51942-51949
作者:  Wang H. T.;  Bai F. Q.;  Jia X. S.;  Cao D.;  Kumar R. M.;  Bredas J. L.;  Qu S. N.;  Bai B. L.;  Zhang H. X.;  Li M.
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