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Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：97/34  |  提交时间：2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：131/44  |  提交时间：2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：109/38  |  提交时间：2021/07/06
Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者:  Li, H.;  P. Wolf;  X. W. Jia;  J. A. Lott and D. Bimberg
浏览  |  Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：225/65  |  提交时间：2018/06/13
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:  Li, K. X.;  J. L. Xu;  X. D. Yan;  L. Liu;  X. B. Chen;  Y. S. Luo;  J. He and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：321/84  |  提交时间：2017/09/11
Fabry-Perot resonance enhanced electrically pumped random lasing from ZnO films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 107, 期号: 23, 页码: 4
作者:  Ni, P. N.;  C. X. Shan;  S. P. Wang;  Y. J. Lu;  B. H. Li and D. Z. Shen
Adobe PDF(1350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/97  |  提交时间：2016/07/15
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:  Jiang, D. L.;  L. Li;  H. Y. Chen;  H. Gao;  Q. Qiao;  Z. K. Xu and S. J. Jiao
浏览  |  Adobe PDF(1478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：331/58  |  提交时间：2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/98  |  提交时间：2015/04/24
ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 1
作者:  Liu J. S.;  Shan C. X.;  Shen H.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Liu L.;  Zhang L. G.;  Shen D. Z.
收藏  |  浏览/下载：438/0  |  提交时间：2013/03/27
Intense upconversion luminescence and origin study in Tm3+/Yb3+ codoped calcium scandate 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 12
作者:  Li J.;  Zhang J. H.;  Hao Z. D.;  Zhang X.;  Zhao J. H.;  Luo Y. S.
收藏  |  浏览/下载：420/0  |  提交时间：2013/03/27