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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/51  |  提交时间：2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：123/43  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
浏览  |  Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：132/46  |  提交时间：2021/07/06
High-efficiency generation of Bessel beams with transmissive metasurfaces 期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Wang, Z.;  Dong, S. H.;  Luo, W. J.;  Jia, M.;  Liang, Z. Z.;  He, Q.;  Sun, S. L.;  Zhou, L.
浏览  |  Adobe PDF(3357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：321/125  |  提交时间：2019/09/17
diffraction-free beams  meta-surfaces  reflection  Physics  
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：370/102  |  提交时间：2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Sun J. H.;  Zhu D. H.;  Zhao J. L.;  Ikezawa M.;  Wang X. Y.;  Masumoto Y.
浏览  |  Adobe PDF(1170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：297/58  |  提交时间：2015/04/24
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：459/112  |  提交时间：2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：512/141  |  提交时间：2012/10/21
Local chemical states and thermal stabilities of nitrogen dopants in ZnO film studied by temperature-dependent x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 19
作者:  Li X. H.;  Xu H. Y.;  Zhang X. T.;  Liu Y. C.;  Sun J. W.;  Lu Y. M.
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Hole transport in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者:  Sun J. W.;  Lu Y. M.;  Liu Y. C.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.
Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/124  |  提交时间：2012/10/21