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| A facile and general approach to polynary semiconductor nanocrystals via a modified two-phase method 期刊论文
Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 24
作者: Wang X. Y.; Sun Z. C.; Shao C.; Boye D. M.; Zhao J. L.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H. ; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.
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| Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Sun X. J.; Li D. B.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| EXAFS Studies on Local Atomic Structure in the Amorphous Mg65Cu25Gd10 Alloy 期刊论文
Journal of Wuhan University of Technology-Materials Science Edition, 2011, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 98-101
作者: Li G. Q.; Zheng L. J.; Cai Q. A.; Li H. X.; Wang X. M.; Sun T. Y.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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