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Studying the effect of material parameters on detectivity in a p-n In0.53Ga0.47As photovoltaic detector 期刊论文
Solid-State Electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 11-16
作者:  Li L. H.;  Yin J. Z.;  Shi B.;  Wang M. S.;  Du G. T.;  Wang Y. D.;  Jin Y. X.
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Numerical analysis of the detectivity in n(+)-n-p and p(+)-p-n GaInAsSb infrared detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1879-1891
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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Effect of material parameters on the quantum efficiency of GaInAsSb detectors 期刊论文
Solid-State Electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 625-631
作者:  Tian Y.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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