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Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
作者:  Li D. B.;  Ma B.;  Miyagawa R.;  Hu W. G.;  Narukawa M.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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Photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001)InP substrate with GaAs interlayer 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1—4, 页码: 60-64
作者:  Wang X. Q.;  Du G. T.;  Yin J. H.;  Li M.;  Li M. T.;  Qu Y.;  Bo B. X.;  Yang S. R.
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Low temperature photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001) InP substrate with GaAs interlayer 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2—3, 页码: 379-383
作者:  Wang X. Q.;  Dua G. T.;  Yin J. Z.;  Li M.;  Li M. T.;  Qu Y.;  Bo B. X.;  Yang S. R.
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