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| Conversion mechanism of conductivity of phosphorus-doped ZnO films induced by post-annealing 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 19
作者: Li J.; Yao B.; Li Y.; Ding Z.; Xu Y.; Zhang L.; Zhao H.; Shen D.
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| Control of N/N(2) species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5
作者: Chen X. Y.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Jiang M. M.; Wang S. P.; Li B. H.; Shan C. X.; Liu L. ; Zhao D. X.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Shell-dependent electroluminescence from colloidal CdSe quantum dots in multilayer light-emitting diodes 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 4
作者: Jing P. T.; Zheng J. J.; Zeng Q. H.; Zhang Y. L.; Liu X. M.; Liu X. Y.; Kong X. G.; Zhao J. L.
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| Biaxial stress-dependent optical band gap, crystalline, and electronic structure in wurtzite ZnO: Experimental and ab initio study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Gai Y. Q.; Cong C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Li B. H.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Tang Z. K.
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| Size-dependent excitation spectra and energy transfer in Tb3+-doped Y2O3 nanocrystalline 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 9
作者: Meng Q. Y.; Chen B. J.; Xu W.; Yang Y. M.; Zhao X. X.; Di W. H.; Lu S. Z.; Wang X. J.; Sun J. S.; Cheng L. H.; Yu T.; Peng Y.
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| Surface defects and their influence on structural and photoluminescence properties of CdWO4 : Eu3+ nanocrystals 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 5
作者: Dai Q. L.; Song H. W.; Pan G. H.; Bai X.; Zhang H.; Qin R. F.; Hu L. Y.; Zhao H. F.; Lu S. Z.; Ren X. G.
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| Optical and electrical properties of highly nitrogen-doped ZnO thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11
作者: Jiao S.; Lu Y. M.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Yao B.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Shen D. Z.; Fan X.
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| Nitrogen-related recombination mechanisms in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 4
作者: Sun J. W.; Lu Y. M.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Fan X. W.
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| Studies on 0.96 and 0.84 eV photoluminescence emissions in GaAs epilayers grown on Si 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7173-7176
作者: Liang J. C.; Jiang J. H.; Zhao J. L.; Gao Y.
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