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| AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 贲建伟
 caj(8583Kb) |  收藏 | 浏览/下载：98/0 | 提交时间：2020/08/24
AlN 表面/界面 MOCVD 高温热处理 折射率 |
| AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 蒋科
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AlN AlGaN 类同质外延 日盲紫外探测器 |
| Experiment of New Protype Group III-nitride UV Image Converter Tube and Evaluation of Detectable Distance of Missile Approach Warning System with It 期刊论文
Binggong Xuebao/Acta Armamentarii, 2017, 卷号: 38, 期号: 5
作者: Ren, B.; Z.-T. Jiang; H. Guo; F. Shi; H.-C. Cheng; X.-F. Bai; Z.-H. Shen; X.-B. Yang; Y. Zhou and M.-H. Cui
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| Graphene applied to GaN based materals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 7
作者: Xu, C.-Y.
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| Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者: Wang, X.-Q.; D.-B. Li; B. Liu; Q. Sun and J.-C. Zhang
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
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石墨烯 Gan 探测器 Mocvd 肖特基接触 |
| 偏振发光二极管的设计研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 周昂
Adobe PDF(2857Kb) | 收藏 | 浏览/下载：330/3 | 提交时间：2016/04/11
发光二极管 光子晶体 偏振层 液晶 可调谐器件 数值模拟 |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 包广宏
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Algan日盲紫外探测器 表面等离激元 Al颗粒制备 |
| 基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 胡光冲
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Mgzno 深紫外 等离子体 Mocvd |
