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| Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者: Li, H.; P. Wolf; X. W. Jia; J. A. Lott and D. Bimberg
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| Transparent perovskite light-emitting diodes by employing organic-inorganic multilayer transparent top electrodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 21
作者: Liang, J. Q.; X. Y. Guo; L. Song; J. Lin; Y. S. Hu; N. Zhang and X. Y. Liu
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| Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者: Wang, D. ; D. Han; X. B. Li; S. Y. Xie; N. K. Chen; W. Q. Tian; S. B. Zhang and H. B. Sun
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| Transparent ambipolar organic thin film transistors based on multilayer transparent source-drain electrodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 6
作者: Zhang, N.; Y. S. Hu; J. Lin; Y. T. Li and X. Y. Liu
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| Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者: Chen H. Y.; Liu K. W.; Jiang M. M.; Zhang Z. Z.; Xie X. H.; Wang D. K.; Liu L.; Li B. H.; Zhao D. X.; Shan C. X.; Shen D. Z.
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H.; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者: Sun J. H.; Zhu D. H.; Zhao J. L.; Ikezawa M.; Wang X. Y.; Masumoto Y.
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| High color purity ZnSe/ZnS core/shell quantum dot based blue light emitting diodes with an inverted device structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 期号: 103
作者: Ji W.; Jing P.; Xu W.; Yuan X.; Wang Y.; Zhao J.; Jen A. K. Y.
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| Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者: Xie X. H.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Wang S. P.; Jiang M. M.; Shan C. X.; Zhao D. X.; Chen H. Y.; Shen D. Z.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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