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Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:  J. Z. Liu;  M. C. Tang;  H. W. Deng;  S. Shutts;  L. F. Wang;  P. M. Smowton;  C. Y. Jin;  S. M. Chen;  A. Seeds and H. Y. Liu
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Enhanced performance of GaAs-based betavoltaic batteries by using AlGaAs hole/electron transport layers 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 30, 页码: 9
作者:  R. Z. Zheng;  J. B. Lu;  Y. Wang;  L. Liang;  Y. G. Zeng;  L. Qin;  Y. Y. Chen;  X. Zhang;  Z. Y. Chen;  X. Y. Li;  X. X. Yuan and Y. M. Liu
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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Rectified photocurrent in a planar ITO/graphene/ITO photodetector on SiC by local irradiation of ultraviolet light 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 卷号: 50, 期号: 40
作者:  Yang, J. W.;  L. W. Guo;  J. Huang;  Q. Mao;  Y. L. Guo;  Y. P. Jia;  T. H. Peng and X. L. Chen
浏览  |  Adobe PDF(987Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：301/95  |  提交时间：2018/06/13
Degenerate layer at ZnO/sapphire interface 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 19
作者:  Li L.;  Shan C. X.;  Wang S. P.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.;  Lu Y. M.
Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：663/156  |  提交时间：2012/10/21
Excitonic electroluminescence from ZnO-based heterojunction light emitting diodes 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 15
作者:  Sun J. W.;  Lu Y. M.;  Liu Y. C.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.
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Temperature-dependent exciton recombination in asymmetrical ZnCdSe ZnSe double quantum wells 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 13, 页码: 1506-1510
作者:  Yu G. Y.;  Fan X. W.;  Zhang J. Y.;  Zheng Z. H.;  Yang B. J.;  Zhao X. W.;  Shen D. Z.;  Kong X. G.
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Analysis of the R(0)A product and detectivity in a GaInAsSb infrared photovoltaic detector 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 22, 页码: 3291-3297
作者:  Tian Y. A.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jin Y. X.;  Jiang H.
Adobe PDF(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：621/180  |  提交时间：2012/10/21