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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
垂直腔面发射激光器研究进展 期刊论文
发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 1443-1459
作者:  张继业;  李雪;  张建伟;  宁永强;  王立军
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垂直腔面发射激光器  高功率  高速  高温  
带边模式光子晶体面发射半导体激光器研究进展 期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 187-206
作者:  陆寰宇;  佟存柱;  王子烨;  田思聪;  汪丽杰;  佟海霞;  李儒颂;  王立军
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激光器  光子晶体  带边模式  面发射激光器  高功率  
1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者:  张卓;  宁永强;  张建伟;  张继业;  曾玉刚;  张俊;  张星;  周寅利;  黄佑文;  秦莉;  刘云;  王立军
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激光物理  半导体激光器  光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器  增益芯片  应变量子阱  
Design and Fabrication of 1160-nm Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser 期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2020, 卷号: 47, 期号: 7
作者:  Z. Zhang,Y. Ning,J. Zhang,J. Zhang,Y. Zeng,J. Zhang,X. Zhang,Y. Zhou,Y. Huang,L. Qin,Y. Liu and L. Wang
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1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 页码: 14
作者:  张卓;  宁永强;  张建伟;  张继业;  曾玉刚;  张俊;  张星;  周寅利;  黄佑文;  秦莉;  刘云;  王立军
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半导体激光器  光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器  增益芯片  应变量子阱  
Research Progress of Vertical-cavity Surface-emitting Laser 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 1443-1459
作者:  J.-Y. Zhang,X. Li,J.-W. Zhang,Y.-Q. Ning and L.-J. Wang
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Research Advancement on Band-Edge Mode Photonic Crystal Surface-Emitting Semiconductor Laser 期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2020, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 20
作者:  H. Lu,C. Tong,Z. Wang,S. Tian,L. Wang,H. Tong,R. Li and L. Wang
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Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:  X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide