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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)
期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:
李翔
;
汪宏
;
乔忠良
;
张宇
;
牛智川
;
佟存柱
;
刘重阳
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提交时间:2021/07/06
半导体锁模激光器
重复频率
GaSb基材料
2μm波段
垂直腔面发射激光器研究进展
期刊论文
发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 1443-1459
作者:
张继业
;
李雪
;
张建伟
;
宁永强
;
王立军
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提交时间:2021/07/06
垂直腔面发射激光器
高功率
高速
高温
带边模式光子晶体面发射半导体激光器研究进展
期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 187-206
作者:
陆寰宇
;
佟存柱
;
王子烨
;
田思聪
;
汪丽杰
;
佟海霞
;
李儒颂
;
王立军
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提交时间:2021/07/06
激光器
光子晶体
带边模式
面发射激光器
高功率
1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备
期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者:
张卓
;
宁永强
;
张建伟
;
张继业
;
曾玉刚
;
张俊
;
张星
;
周寅利
;
黄佑文
;
秦莉
;
刘云
;
王立军
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提交时间:2021/07/06
激光物理
半导体激光器
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
增益芯片
应变量子阱
Design and Fabrication of 1160-nm Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser
期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2020, 卷号: 47, 期号: 7
作者:
Z. Zhang,Y. Ning,J. Zhang,J. Zhang,Y. Zeng,J. Zhang,X. Zhang,Y. Zhou,Y. Huang,L. Qin,Y. Liu and L. Wang
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提交时间:2021/07/06
1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备
期刊论文
中国激光, 2020, 页码: 14
作者:
张卓
;
宁永强
;
张建伟
;
张继业
;
曾玉刚
;
张俊
;
张星
;
周寅利
;
黄佑文
;
秦莉
;
刘云
;
王立军
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提交时间:2021/07/06
半导体激光器
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
增益芯片
应变量子阱
Research Progress of Vertical-cavity Surface-emitting Laser
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 1443-1459
作者:
J.-Y. Zhang,X. Li,J.-W. Zhang,Y.-Q. Ning and L.-J. Wang
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提交时间:2021/07/06
Research Advancement on Band-Edge Mode Photonic Crystal Surface-Emitting Semiconductor Laser
期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2020, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 20
作者:
H. Lu,C. Tong,Z. Wang,S. Tian,L. Wang,H. Tong,R. Li and L. Wang
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提交时间:2021/07/06
Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited
期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:
X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
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提交时间:2021/07/06
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide