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Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
作者:  Li D. B.;  Ma B.;  Miyagawa R.;  Hu W. G.;  Narukawa M.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 4—5, 页码: 156-160
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. G.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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