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Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing 期刊论文
Chinese Physics B, 2022, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 6
作者:  J. W. Ben;  J. L. Luo;  Z. C. Lin;  X. J. Sun;  X. K. Liu and X. H. Li
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Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga2O3 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 6
作者:  C.Yang;  H.W.Liang;  Z.Z.Zhang;  X.C.Xia;  H.Q.Zhang;  R.S.Shen
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Ga2O3 single crystal,solar-blind,photodetector,high temperature,ultraviolet photodetectors,growth,performance,detectors,film,Physics  
Review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Wu, Y.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Li, D. B.
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detectors  surface plasmonic  GaN  ultraviolet  resonance spectroscopy  aluminum  enhancement  detectors  losses  array  gan  Physics  
Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs 期刊论文
Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12
作者:  Li D. B.;  Hu W. G.;  Hideto M.;  Kazumasa H.;  Song H.
Adobe PDF(955Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：369/71  |  提交时间：2012/10/21