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Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing 期刊论文
Chinese Physics B, 2022, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 6
作者:  J. W. Ben;  J. L. Luo;  Z. C. Lin;  X. J. Sun;  X. K. Liu and X. H. Li
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ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices 期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 4
作者:  Lu, Y. J.;  Z. F. Shi;  C. X. Shan and D. Z. Shen
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Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs 期刊论文
Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12
作者:  Li D. B.;  Hu W. G.;  Hideto M.;  Kazumasa H.;  Song H.
Adobe PDF(955Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/69  |  提交时间：2012/10/21