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| Pressure-induced phase transitions in weak interlayer coupling CdPS3 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 23, 页码: 7
作者: M. M. Niu; H. W. Cheng; X. L. Li; J. Yu; X. W. Yang; Y. Q. Gao; R. G. Liu; Y. Cao; K. Y. He; X. J. Xie; Q. Shen; M. Lu; L. Wang; T. T. Yin and J. X. Yan
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| Super-broadband geometric phase devices based on circular polarization converter with mirror symmetry 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 10
作者: W. Chen; Y. Yu; Q. Mu; J. Campos; Q. Wang; S. Li; S. Zhang and L. Xuan
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| Ultrabroadband and independent polarization of optical amplification with InGaAs-based indium-rich cluster quantum-confined structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 5
作者: M. Zheng; Q. N. Yu; X. Li; H. X. Tai; X. Zhang; J. W. Zhang; Y. Q. Ning and J. Wu
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| Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者: Jiang, D. L.; L. Li; H. Y. Chen; H. Gao; Q. Qiao; Z. K. Xu and S. J. Jiao
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| Replication and characterization of the compound eye of a fruit fly for imaging purpose 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 14, 页码: 4
作者: Li H. F.; Gong X. W.; Ni Q. L.; Zhao J. L.; Zhang H. S.; Wang T. S.; Yu W. X.
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Nanofocusing of longitudinally polarized light using absorbance modulation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 6, 页码: 4
作者: Li Q.; Zhao X.; Zhang B.; Zheng Y.; Zhou L. Q.; Wang L. J.; Wu Y. X.; Fang Z. L.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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