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| Growth mechanism and blue shift of Mn2+ luminescence for wurtzite ZnS : Mn2+ nanowires 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 7
作者: Cao J.; Yang J. H.; Zhang Y. J.; Yang L. L.; Wang D. D.; Wei M. B.; Wang Y. X.; Liu Y.; Gao M.; Liu X. Y.
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| Correlated d(0) ferromagnetism and photoluminescence in undoped ZnO nanowires 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 11
作者: Xing G. Z.; Wang D. D.; Yi J. B.; Yang L. L.; Gao M.; He M.; Yang J. H.; Ding J.; Sum T. C.; Wu T.
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| Dependence of energy transfer and photoluminescence on tailored defects in Eu-doped ZnO nanosheets-based microflowers 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 504, 期号: 1, 页码: 22-26
作者: Wang D. D.; Xing G. Z.; Yang J. H.; Yang L. L.; Gao M.; Cao J.; Zhang Y. J.; Yao B.
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| Characterization and properties of ZnO1-xSx alloy films fabricated by radio-frequency magnetron sputtering 期刊论文
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 256, 期号: 14, 页码: 4621-4625
作者: Pan H. L.; Yang T.; Yao B.; Deng R.; Sui R. Y.; Gao L. L.; Shen D. Z.
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| Post-annealing influence on electrical properties and photoluminescence of B-N codoping ZnO thin films 期刊论文
Journal of Luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 6, 页码: 1101-1105
作者: Sui Y. R.; Yao B.; Yang J. H.; Gao L. L.; Yang T.; Deng R.; Ding M.; Zhao T. T.; Huang X. M.; Pan H. L.; Shen D. Z.
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| Deposition and properties of B-N codoped p-type ZnO thin films by RF magnetron sputtering 期刊论文
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 256, 期号: 9, 页码: 2726-2730
作者: Sui Y. R.; Yao B.; Yang J. H.; Cui H. F.; Huang X. M.; Yang T.; Gao L. L.; Deng R.; Shen D. Z.
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| Characterization and properties of Zn-O-Se ternary system thin films deposited by radio-frequency (rf)-magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Non-Crystalline Solids, 2010, 卷号: 356, 期号: 18-19, 页码: 906-910
作者: Pan H. L.; Yao B.; Ding M.; Deng R.; Yang T.; Sui Y. R.; Zhao T. T.; Gao L. L.
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| Fabrication and photoluminescence of ZnS:Mn(2+) nanowires/ZnO quantum dots/SiO(2) heterostructure 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4
作者: Yang J. H.; Cao J. A.; Yang L. L.; Zhang Y. J.; Wang Y. X.; Liu X. Y.; Wang D. D.; Wei M. B.; Gao M.; Lang J. H.
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