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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
语种:英语
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Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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提交时间:2021/07/06
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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提交时间:2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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提交时间:2012/10/21
Observation of 1.5 mu m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex
期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者:
Zang F. X.
;
Li W. L.
;
Hong Z. R.
;
Wei H. Z.
;
Li M. T.
;
Sun X. Y.
;
Lee C. S.
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提交时间:2012/10/21
1.4 mu m band electroluminescence from organic light-emitting diodes based on thulium complexes
期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 14, 页码: 2679-2681
作者:
Zang F. X.
;
Hong Z. R.
;
Li W. L.
;
Li M. T.
;
Sun X. Y.
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提交时间:2012/10/21