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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 新型场效应晶体管的研究与制备 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 端鹏飞
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场效应晶体管 Moo3纳米片 透明电极 透明场效应晶体管 |
| 液晶/聚合物光栅激光器的制备研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 黄文彬
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| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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| 集成纳米微腔电流放大器 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110129792.9, 申请日期: 2014-06-18, 公开日期: 2014-06-18
发明人: 陈泳屹; 秦莉; 王立军; 宁永强; 刘云
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| 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 2, 页码: 238-242
作者: 李红; 甘至宏; 刘星元
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场效应晶体管 Euf 3 修饰层 |
