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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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中科院长春光机所知识... [7]
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期刊论文 [7]
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2009 [7]
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收录类别:SCI
发表日期:2009
语种:英语
专题:中科院长春光机所知识产出
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Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
作者:
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Narukawa M.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21
Temperature-Dependent Photoluminescence of CdSe-Core CdS/CdZnS/ZnS-Multishell Quantum Dots
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2009, 卷号: 113, 期号: 31, 页码: 13545-13550
作者:
Jing P. T.
;
Zheng J. J.
;
Ikezawa M.
;
Liu X. Y.
;
Lv S. Z.
;
Kong X. G.
;
Zhao J. L.
;
Masumoto Y.
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提交时间:2012/10/21
Surface morphology, structural and optical properties of polar and non-polar ZnO thin films: A comparative study
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 19, 页码: 4398-4401
作者:
Deng R.
;
Yao B.
;
Li Y. F.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Zhao H. F.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao D. X.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
;
Yang L. L.
;
Zhao Q. X.
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提交时间:2012/10/21
Growth and optical properties of ZnO microwells by chemical vapor deposition method
期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2009, 卷号: 404, 期号: 2, 页码: 315-319
作者:
Zang C. H.
;
Liu Y. C.
;
Zhao D. X.
;
Zhang Y. S.
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提交时间:2012/10/21
A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 4—5, 页码: 156-160
作者:
Zhang T. M.
;
Miao G. G.
;
Jin Y. X.
;
Yu S. Z.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
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提交时间:2012/10/21
MgNiO-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 9
作者:
Zhao Y. M.
;
Zhang J. Y.
;
Jiang D. Y.
;
Shan C. X.
;
Zhang Z. Z.
;
Yao B.
;
Zhao D. X.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21