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High-quality ZnO/GaN/Al2O3 heteroepitaxial structure grown by LP-MOCVD 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1—2, 页码: 130-134
作者:  Zhao B. J.;  Yang H. J.;  Du G. T.;  Miao G. Q.;  Zhang Y. T.;  Gao Z. M.;  Yang T. P.;  Wang J. Z.;  Li W. C.;  Ma Y.;  Yang X. T.;  Liu B. Y.;  Liu D. L.;  Fang X. J.
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Growth and characterization of InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1—2, 页码: 39-43
作者:  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Li S. W.;  Yuan G.;  Tian Y.;  Jin Y. X.
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GROWTH OF GAINASSB ALLOYS BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1995, 卷号: 156, 期号: 1—2, 页码: 39-44
作者:  Li S. W.;  Jin Y. X.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Ning Y. Q.;  Hong J.;  Yuan G.;  Zhang X. Y.;  Yuan J. S.
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METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF GAXIN1-XSB TERNARY ALLOYS 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1995, 卷号: 151, 期号: 1—2, 页码: 21-25
作者:  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Ning Y. Q.;  Jin Y. X.;  Hong C. R.;  Yuan J. S.
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