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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Theoretical Mechanistic Study of Nickel(0)Lewis Acid Catalyzed Polyfluoroarylcyanation of Alkynes Origin of Selectivity for C-CN Bond Activation
期刊论文
Organometallics, 2018, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2594-2601
作者:
Ren, H.
;
Du, G. F.
;
Zhu, B.
;
Yang, G. C.
;
Yao, L. S.
;
Guan, W.
;
Su, Z. M.
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提交时间:2019/09/17
carbon-carbon bonds
oxidative addition
organic-synthesis
h
activation
sigma-bond
cooperative catalysis
transition-elements
assisted cleavage
zerovalent nickel
metal-complexes
Chemistry
Microcavity electrodynamics of hybrid surface plasmon polariton modes in high-quality multilayer trench gratings
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 10
作者:
Liu, X. Y.
;
Gao, J. B.
;
Gao, J. S.
;
Yang, H. G.
;
Wang, X. Y.
;
Wang, T. T.
;
Shen, Z. F.
;
Liu, Z.
;
Hui, H.
;
Zhang, J.
;
Li, Z. Z.
;
Wang, Y. C.
;
Li, Q.
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提交时间:2019/09/17
resonators
nanorod
nanostructures
metamaterials
spectroscopy
antennas
Optics
Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:
Yang, X.
;
Shan, C. X.
;
Liu, Q.
;
Jiang, M. M.
;
Lu, Y. J.
;
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting devices
resistive random access memories
multilevel
switching
diodes
xps
emission
blue
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si
期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5043-5051
作者:
Feng, M. X.
;
He, J. L.
;
Sun, Q.
;
Gao, H. W.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
;
Liu, J. P.
;
Zhang, S. M.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Wang, H. B.
;
Ikeda, M.
;
Wang, R. X.
;
Yang, H.
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提交时间:2019/09/17
high-power
gan
diodes
Optics
Electronic Level Alignment at an Indium Tin OxidePbI2 Interface and Its Applications for Organic Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 8909-8916
作者:
Song, Q. G.
;
Lin, T.
;
Sun, X.
;
Chu, B.
;
Su, Z. S.
;
Yang, H. S.
;
Li, W. L.
;
Lee, C. S.
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提交时间:2019/09/17
lead iodide
n-type semiconductor
anode buffer layer
organic
electronic devices
light-emitting-diodes
near-infrared photodetectors
field-effect
transistors
transition-metal oxides
hole-injection layer
solar-cells
photovoltaic cells
buffer layer
delayed fluorescence
spectral
response
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Photoinduced Orientation-Dependent Interlayer Carrier Transportation in Cross-Stacked Black Phosphorus van der Waals Junctions
期刊论文
Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 20, 页码: 7
作者:
Xin, W.
;
Jiang, H. B.
;
Li, X. K.
;
Zhou, X. F.
;
Lu, J. L.
;
Yang, J. J.
;
Guo, C.
;
Liu, Z. B.
;
Tian, J. G.
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anisotropy
black phosphorus
interlayer carrier transportation
scanning photocurrent imaging measurement
van der Waals junction
heterostructures
growth
mos2
Chemistry
Materials Science
Organic Upconversion Display with an over 100% Photon-to-photon Upconversion Efficiency and a Simple Pixelless Device Structure
期刊论文
Journal of Physical Chemistry Letters, 2018, 卷号: 9, 期号: 23, 页码: 6818-6824
作者:
Song, Q. G.
;
Lin, T.
;
Su, Z. S.
;
Chu, B.
;
Yang, H. S.
;
Li, W. L.
;
Lee, C. S.
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提交时间:2019/09/17
activated delayed-fluorescence
external quantum efficiency
light-emitting-diodes
visible-light
converter
photodetectors
design
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Adaptive correction of retardations with immunity to alignment errors for a channeled spectropolarimeter
期刊论文
Applied Optics, 2018, 卷号: 57, 期号: 28, 页码: 8134-8142
作者:
Ju, X. P.
;
Yan, C. X.
;
Zhang, J. Q.
;
Yang, B.
;
Xing, W. H.
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polarimetry
reconstruction
calibration
modulation
Optics
Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 期号: 1, 页码: 308-313
作者:
Yang, Y. C.
;
Shi, Z.
;
Zhu, B. C.
;
Yuan, J. L.
;
Zhu, G. X.
;
Gao, X. M.
;
Li, Y. H.
;
Zhang, Z. Y.
;
Liu, Y. H.
;
Wang, Y. J.
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提交时间:2019/09/17
Adding together behavior
dual emitter light-induced neuromorphic
device
excitatory postsynaptic voltage (EPSV)
InGaN
multiple-quantum-well diodes (MQW-diodes)
resonant summation effect
(RSE)
plasticity
synapse
transistor
Engineering
Physics
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Wang, J.
;
Zhou, R.
;
Sun, Q.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Gao, H. W.
;
Zhou, Y.
;
Zhang, S. M.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Liu, J. P.
;
Wang, H. B.
;
Ikeda, M.
;
Zheng, X. H.
;
Yang, H.
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
near-ultraviolet
laser
Si substrate
stress
defect
light-emitting-diodes
gan
efficiency
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