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Effect of excessive Cs and O on activation of GaAs(100) surface: From experiment to theory 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 128, 期号: 17, 页码: 10
作者:  Y. J. Zhang,K. M. Zhang,S. M. Li,S. Li,Y. S. Qian,F. Shi,G. C. Jiao,Z. Miao,Y. L. Guo and Y. G. Zeng
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Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:  Han, X. X.;  C. Dong;  Q. Feng;  Y. Ohshita and M. Yamaguchi
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Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-doped ZnO films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 093518-1
作者:  Zhang ZZ(张振中);  Li BH(李炳辉);  Dan CX(单崇新);  Shen DZ(申德振)
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Enhanced photoluminescence caused by localized excitons observed in MgZnO alloy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10
作者:  Zhu H.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Structure and optically pumped lasing from nanocrystalline ZnO thin films prepared by thermal oxidation of ZnS thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: 3293-3298
作者:  Zhang X. T.;  Liu Y. C.;  Zhang L. G.;  Zhang J. Y.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Xu W.;  Zhong G. Z.;  Fan X. W.;  Kong X. G.
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High quality ZnO thin films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 1, 页码: 501-505
作者:  Li B. S.;  Liu Y. C.;  Chu Z. S.;  Shen D. Z.;  Lu Y. M.;  Zhang J. Y.;  Fan X. W.
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：625/162  |  提交时间：2012/10/21