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Enhanced emission of Tm3+:F-3(4) -> H-3(6) transition by backward energy transfer from Yb3+ in Y2O3 for mid-infrared applications 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 722
作者:  Wu, D.;  W. G. Xiao;  X. Zhang;  Z. D. Hao;  G. H. Pan;  L. L. Zhang;  Y. S. Luo and J. H. Zhang
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Synthesis and characterization of Cr4+-doped Ca2GeO4 tunable crystal 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 636, 页码: 211-215
作者:  Li, C.;  J. L. Xu;  W. Liu;  D. Y. Zheng;  S. L. Zhang;  Y. Zhang;  H. Lin;  L. Liu;  J. H. Liu and F. M. Zeng
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As… 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁;  李志明
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
Adobe PDF(849Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：644/132  |  提交时间：2012/10/21
Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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Effect of buffer growth temperature on crystalline quality and optical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 458, 期号: 1—2, 页码: 363-365
作者:  Zhang T.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：705/171  |  提交时间：2012/10/21