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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga2O3
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 6
作者:
C.Yang
;
H.W.Liang
;
Z.Z.Zhang
;
X.C.Xia
;
H.Q.Zhang
;
R.S.Shen
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提交时间:2020/08/24
Ga2O3 single crystal,solar-blind,photodetector,high temperature,ultraviolet photodetectors,growth,performance,detectors,film,Physics
Multi-zinc oxide-cores@uni-barium sulfate-shell with improved photo-, thermal-, and ambient-stability: Non-equilibrium sorption fabrication and light-emitting diodes application
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2018, 卷号: 529, 页码: 2019-01-10
作者:
Liang, Y. C.
;
Liu, K. K.
;
Wu, X. Y.
;
Lu, X. L.
;
Lu, Y. J.
;
Zhao, Q.
;
Shan, C. X.
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提交时间:2019/09/17
mZnO@uBaSO(4) nanocomposite
Phosphors
Light-emitting diodes
quantum dots
zno nanoparticles
ultraviolet photodetectors
luminescence
phosphors
photoluminescence
fluorescence
efficient
networks
nanodots
Chemistry
Study on the Photoresponse Characteristics of Organic Light Emitting Field-Effect Transistors
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2018, 卷号: 122, 期号: 27, 页码: 15190-15197
作者:
Li, D. W.
;
Hu, Y. S.
;
Guo, X. Y.
;
Lv, Y.
;
Zhang, N.
;
Lin, J.
;
Liu, X. Y.
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提交时间:2019/09/17
thin-film transistors
up-conversion devices
phototransistors
performance
photodetectors
ultraviolet
graphene
gain
electroluminescence
transport
Investigation of Interface Effect on the Performance of CH3NH3PbCl3ZnO UV Photodetectors
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 40, 页码: 34744-34750
作者:
Yang, J. L.
;
Liu, K. W.
;
Cheng, Z.
;
Jing, P. T.
;
Ai, Q.
;
Chen, X.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Zhang, L. G.
;
Zhao, H. F.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
perovskite
ZnO
UV photodetector
transient absorption
electron
transfer
perovskite solar-cells
lead iodide perovskite
halide perovskite
ultraviolet photodetectors
ch3nh3pbi3
crystallization
passivation
wavelength
mechanism
graphene
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
inserted layers
p-i-n structures
ultraviolet photodetectors
suppression
diodes
Materials Science
Physics
Self-powered SBD solar-blind photodetector fabricated on the single crystal of beta-Ga2O3
期刊论文
Rsc Advances, 2018, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 6341-6345
作者:
Yang, C.
;
Liang, H. W.
;
Zhang, Z. Z.
;
Xia, X. C.
;
Tao, P. C.
;
Chen, Y. P.
;
Zhang, H. Q.
;
Shen, R. S.
;
Luo, Y. M.
;
Du, G. T.
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提交时间:2019/09/17
semiconductor ultraviolet photodetectors
heterojunction
film
wavelength
detectors
nanowires
Chemistry