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Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour 期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:  B.Sun;  T.Guo;  G.D.Zhou;  S.Ranjan;  W.T.Hou;  Y.M.Hou;  Y.Zhao
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Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry  
Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:  Yang, X.;  Shan, C. X.;  Liu, Q.;  Jiang, M. M.;  Lu, Y. J.;  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Shen, D. Z.
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light-emitting devices  resistive random access memories  multilevel  switching  diodes  xps  emission  blue  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics  
Overwhelming coexistence of negative differential resistance effect and RRAM 期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 31, 页码: 20635-20640
作者:  Guo, T.;  Sun, B.;  Zhou, Y.;  Zhao, H. B.;  Lei, M.;  Zhao, Y.
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resistive switching memories  film  nanoparticles  mechanisms  filaments  devices  Chemistry  Physics  
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering