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Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour 期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:  B.Sun;  T.Guo;  G.D.Zhou;  S.Ranjan;  W.T.Hou;  Y.M.Hou;  Y.Zhao
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Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry