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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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作者
刘雷 [1]
陈伟 [1]
王丽 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [4]
2018 [2]
语种
英语 [5]
出处
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Anomalous Broadband Spectrum Photodetection in 2D Rhenium Disulfide Transistor
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2019, 卷号: 7, 期号: 23, 页码: 9
作者:
D.Xiang
;
T.Liu
;
J.Y.Wang
;
P.Wang
;
L.Wang
;
Y.Zheng
;
Y.N.Wang
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提交时间:2020/08/24
2D ReS2 transistors,bolometric modes,low noise equivalent power,fast,photoresponse,photocurrent polarity switching,sub-bandgap,photodetection,field-effect transistors,layer res2,graphene,optoelectronics,semiconductor,mos2,Materials Science,Optics
First-principles study on OH-functionalized 2D electrides: Ca2NOH and Y2C(OH)(2), promising two-dimensional monolayers for metal-ion batteries
期刊论文
Applied Surface Science, 2019, 卷号: 478, 页码: 459-464
作者:
D.D.Wang
;
H.B.Li
;
L.L.Zhang
;
Z.H.Sun
;
D.X.Han
;
L.Niu
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提交时间:2020/08/24
OH-functionalized 2D electrides,Ca2NOH,Y2C(OH)(2),Adsorption and,diffusion of metal atoms,First-principles study,anode materials,na,electrons,surfaces,li,Chemistry,Materials Science,Physics
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
;
Z.B.Qi
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van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
Theoretical investigation of strain-engineered WSe2 monolayers as anode material for Li-ion batteries
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 370-375
作者:
J.Rehman
;
R.Ali
;
N.Ahmad
;
X.D.Lv
;
C.L.Guo
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提交时间:2020/08/24
2D materials,LIBs,Adsorption,Diffusion,Tensile strain,transition-metal dichalcogenides,electrode materials,crystalline wse2,mono layers,lithium,energy,adsorption,chemistry,graphene,storage,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Surface-Limited Superconducting Phase Transition on 1T-TaS2
期刊论文
ACS NANO, 2018, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 12619-12628
作者:
Wang, Ziying
;
Sun, Yi-Yang
;
Abdelwahab, Ibrahim
;
Cao, Liang
;
Yu, Wei
;
Ju, Huanxin
;
Zhu, Junfa
;
Fu, Wei
;
Chu, Leiqiang
;
Xu, Hai
;
Loh, Kian Ping
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提交时间:2019/05/22
2D materials
TaS2
superconducting
surface phase transition
charge density wave
2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:
Zhang, J. L.
;
Han, C.
;
Hu, Z. H.
;
Wang, L.
;
Liu, L.
;
Wee, A. T. S.
;
Chen, W.
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提交时间:2019/09/17
2D phosphorene
electronic devices
epitaxial growth
interface
engineering
layer black phosphorus
2-dimensional materials
band-gap
transport-properties
carrier mobility
blue phosphorus
graphene
surface
functionalization
semiconductors
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
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Physics