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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 期刊论文
光学精密工程, 2013, 期号: 03, 页码: 590-597
作者:  徐华伟;  宁永强;  曾玉刚;  张星;  秦莉
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半导体激光器  应变量子阱  外延生长  波长漂移  反射各向异性谱  
MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 09, 页码: 985-990
作者:  王鹏程;  徐华伟;  张金龙;  宁永强
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Ⅲ-ⅴ族半导体化合物  外延生长  金属有机化合物汽相淀积  反射各向异性谱  
RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文) 期刊论文
发光学报, 2011, 期号: 12, 页码: 1297-1302
作者:  徐华伟;  张金龙;  宁永强;  曾玉刚;  张星
caj(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：582/145  |  提交时间：2013/03/11
外延生长  金属有机化合物汽相淀积  反射各向异性谱  
液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器 期刊论文
光学学报, 1995, 期号: 10, 页码: 1288-1291
作者:  任大翠;  李含轩;  薄报学
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液相外延生长  分别限制双异质结构lds  超薄有源层  
国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1991, 期号: 02, 页码: 19-20
作者:  张千勇;  史全林;  王喜祥;  徐莉
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Mocvd 外延生长  掺杂