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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  赵旭
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“铟镓砷”  “暗电流”  “apsys”  
非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 期号: 06, 页码: 1056-1058
作者:  缪国庆;  殷景志;  金亿鑫;  蒋红;  张铁民;  宋航
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金属有机化学气相沉积  铟镓砷  探测器  
生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 05, 页码: 465-468
作者:  缪国庆;  金亿鑫;  蒋红;  周天明;  李树玮;  元光;  宋航
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铟镓砷  生长温度  低压金属有机化学气相沉积  
Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 04, 页码: 271-273
作者:  缪国庆;  金亿鑫;  蒋红;  周天明;  李树玮;  元光;  宋航
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铟镓砷  Ⅴ/ⅲ比  低压金属有机化学气相沉积