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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors
期刊论文
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 311-317
作者:
X.K.Liu
;
Y.X.Chen
;
D.B.Li
;
S.W.Wang
;
C.C.Ting
;
L.Chen
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提交时间:2020/08/24
mos2 atomic layers,large-area,thin-layers,graphene,growth,optoelectronics,hysteresis,Optics
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
;
Z.B.Qi
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提交时间:2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
X.K.Liu
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets