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| 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 缪国庆; 金亿鑫; 宋航 ; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁
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| 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 缪国庆; 金亿鑫; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁
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| 模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源 期刊论文
真空科学与技术学报, 2009, 期号: 6
作者: 吕文辉; 张帅; 邵乐喜; 刘贵昂; 薛书文; 张军; 宋航; 金亿鑫
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平面栅极型碳纳米管场发射电子源 数值模拟 常闭工作模式 常开工作模式 |
| 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 6
作者: 吕文辉; 宋航; 金亿鑫; 魏燕燕; 郭万国; 曹连振; 陈雷锋; 赵海峰; 李志明; 蒋红; 缪国庆
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碳纳米管 场发射阴极 银台阵列 电泳淀积 电化学淀积 |
| 俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响 期刊论文
半导体光电, 2006, 期号: 2
作者: 殷景志; 时宝; 李龙海; 王一丁; 杜国同; 缪国庆; 宋航; 蒋红; 金亿鑫
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Ingaas探测器 探测率 Auger复合 |
| MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 期号: 06, 页码: 1030-1034
作者: 蒋红; 金亿鑫; 宋航; 缪国庆
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Mocvd 分布布喇格反射镜 反射率 |
| 非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 期号: 06, 页码: 1056-1058
作者: 缪国庆; 殷景志; 金亿鑫; 蒋红; 张铁民; 宋航
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金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器 |
| SrWO_4薄膜的电化学制备及室温光致发光特性 期刊论文
功能材料, 2005, 期号: 05, 页码: 711-713+716
作者: 高道江; 肖定全; 金亿鑫; 毕剑; 余萍; 赖欣
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Srwo4薄膜 电化学制备 白钨矿结构 光致发光 |
| H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响 期刊论文
长春理工大学学报, 2005, 期号: 01, 页码: 90-92
作者: 王辉; 宋航; 金亿鑫; 蒋红; 缪国庆
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碳化硅 H2稀释度 热丝cvd |
| MOCVD-Ga_(0.4)In_(0.6)As_(0.85)P_(0.15)/InP分布布喇格反射镜的反射率 期刊论文
发光学报, 2004, 期号: 06, 页码: 686-690
作者: 蒋红; 金亿鑫; 宋航; 李军; 缪国庆
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金属有机化学气相沉积 分布布喇格反射镜 反射率 |
