Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响 | |
王辉 ; 宋航; 金亿鑫; 蒋红; 缪国庆
| |
| 2005-03-30 | |
| 发表期刊 | 长春理工大学学报
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| 期号 | 01页码:90-92 |
| 关键词 | 碳化硅 H2稀释度 热丝cvd |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28615 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,宋航,金亿鑫,等. H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响[J]. 长春理工大学学报,2005(01):90-92. |
| APA | 王辉,宋航,金亿鑫,蒋红,&缪国庆.(2005).H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响.长春理工大学学报(01),90-92. |
| MLA | 王辉,et al."H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响".长春理工大学学报 .01(2005):90-92. |
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