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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究 期刊论文
兵工学报, 2001, 期号: 03, 页码: 355-358
作者:  李梅;  宋晓伟;  王晓华;  张宝顺;  李学千
caj(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：567/81  |  提交时间：2013/03/11
光致荧光  分子束外延  双晶衍射  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器  
940nm高功率列阵半导体激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 276-278
作者:  曲轶;  石家纬;  薄报学;  高欣;  张宝顺;  张兴德
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分子束外延  阵  半导体激光器  
微通道热沉标准单元制作的SEM观察 期刊论文
电子显微学报, 2000, 期号: 04, 页码: 587-588
作者:  王晓华;  张宝顺;  王玉霞;  任大翠;  张兴德
caj(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：508/124  |  提交时间：2013/03/11
微通道结构:5798  标准单元:5527  半导体激光器:3149  Sem观察:3000  国家重点实验室:2287  高功率:2245  热沉:1741  精密机械:1309  冷却器:1010  硅微通道:926  
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 06, 页码: 388-389+392
作者:  高欣;  曲轶;  薄报学;  张宝顺;  张兴德
caj(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：539/98  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  液相外延  分别限制单量子阱  特征温度  
808nm准连续阵列半导体激光器 期刊论文
发光学报, 1999, 期号: 04, 页码: 342-345
作者:  高欣;  薄报学;  曲轶;  张宝顺;  张兴德
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准连续  阵列  半导体激光器  占空比  
双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度 期刊论文
半导体技术, 1999, 期号: 06, 页码: 45-46+58
作者:  曲轶;  高欣;  张宝顺;  薄报学;  张兴德
caj(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：421/72  |  提交时间：2013/03/11
双晶x射线衍射  超薄层厚度  
MBE生长高功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 05, 页码: 366-368
作者:  曲轶;  高欣;  张宝顺;  薄报学;  张兴德
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半导体激光器  高功率半导体激光器  分子束外延  激光器阵列  
808nm波长光纤耦合高功率半导体激光器 期刊论文
中国激光, 1999, 期号: 03, 页码: 2-5
作者:  薄报学;  高欣;  王玲;  张宝顺;  王玉霞;  张兴德
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大功率ld  光纤耦合  预准直  
量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1998, 期号: 03, 页码: 15-17+22
作者:  刘国军;  张千勇;  杨晗;  曲轶;  夏伟;  张兴德;  李梅;  王晓华;  李学谦;  薄报学;  张宝顺
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分子束外延  量子阱激光器