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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究
李梅; 宋晓伟; 王晓华; 张宝顺; 李学千
2001-08-30
发表期刊兵工学报
期号03页码:355-358
关键词光致荧光 分子束外延 双晶衍射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29583
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
李梅,宋晓伟,王晓华,等. MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究[J]. 兵工学报,2001(03):355-358.
APA 李梅,宋晓伟,王晓华,张宝顺,&李学千.(2001).MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究.兵工学报(03),355-358.
MLA 李梅,et al."MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究".兵工学报 .03(2001):355-358.
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