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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309
作者:  王新强;  黎大兵;  刘斌;  孙钱;  张进成
caj(2717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：398/107  |  提交时间：2017/09/17
氮化镓  大失配  强极化  生长动力学  载流子调控  
Synthesis, photophysical properties and theoretical study of blue luminescence materials based on phenanthro[9,10-d] imidazole 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, D.-W.;  Q.-H. Zuo;  Y.-B. Lu;  B. Tian;  Y.-Z. Xu;  S.-Y. Weng;  Q. Duan and B. Li
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Current density and irradiance distribution of light-emitting-diode-array device with divided pixels 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Bao, X.-Z.;  J.-Q. Liang;  Z.-Z. Liang;  Y.-X. Qin;  J.-G. Lyu and W.-B. Wang
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Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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