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| Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文 Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20 作者: Wang, D. ; D. Han; X. B. Li; S. Y. Xie; N. K. Chen; W. Q. Tian; S. B. Zhang and H. B. Sun
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文 Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5 作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12 作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H. ; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12 作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H. ; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1 作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H. ; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| Intramolecular energy transfer between the triplet of ancillary ligand and the metal to ligand charge transfer state existed in heterocyclometalated iridium (III) complexes 期刊论文 Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16 作者: Han L. L.; Yang D. F.; Li W. L.; Chu B.; Chen Y. R.; Su Z. S.; Zhang D. Y.; Yan F.; Wu S. H.; Wang J. B.; Hu Z. Z.; Zhang Z. Q.
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| The reduced triplet-triplet annihilation of electrophosphorescent device doped by an iridium complex with active hydrogen 期刊论文 Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15 作者: Han L. L.; Yang D. F.; Li W. L.; Chu B.; Chen Y. ; Su Z. S.; Zhang D. Y.; Yan F.; Hu Z. Z.; Zhang Z. Q.
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| Highly sensitive organic ultraviolet optical sensor based on phosphorescent Cu (I) complex 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 16 作者: Kong Z. G.; Li W. L.; Che G. B.; Chu B.; Bi D. F.; Han L. L.; Chen L. L.; Hu Z. Z.; Zhang Z. Q.
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