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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| Enhanced efficiency and reduced roll-off in nondoped phosphorescent organic light-emitting devices with triplet multiple quantum well structures 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 8
作者: Liu S. M.; Li B.; Zhang L. M.; Song H.; Jiang H.
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| Luminescent enhancement in europium-doped yttria nanotubes coated with yttria 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 14
作者: Bai X.; Song H. W.; Pan G. H.; Liu Z. X.; Lu S. Z.; Di W. H.; Ren X. G.; Lei Y. Q.; Dai Q. L.; Fan L. B.
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| Light-induced change of charge transfer band in nanocrystalline Y2O3 : Eu3+ 期刊论文
Applied Physics Letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 10, 页码: 1776-1778
作者: Song H. W.; Chen B. J.; Peng H. S.; Zhang J. S.
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