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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Semiconductor Science and Technology
文献类型:期刊论文
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Effect of post annealing on the band gap of Mg(x)Zn(1-x)O thin films
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3
作者:
Jiang D. Y.
;
Shen D. Z.
;
Liu K. W.
;
Shan C. X.
;
Zhao Y. M.
;
Yang T.
;
Yao B.
;
Lu Y. M.
;
Zhang J. Y.
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提交时间:2012/10/21
Electrical properties of N-doped ZnO grown on sapphire by P-MBE
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 65-69
作者:
Wang X.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Yao B.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao D. X.
;
Fan X. W.
;
Tang Z. K.
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浏览/下载:491/113
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提交时间:2012/10/21
A high-speed photoconductive UV detector based on an Mg0.4Zn0.6O thin film
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 687-690
作者:
Jiang D. Y.
;
Zhang J. Y.
;
Liu K. W.
;
Zhao Y. M.
;
Cong C. X.
;
Lu Y. M.
;
Yao B.
;
Zhang Z. Z.
;
Shen D. Z.
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浏览/下载:538/139
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提交时间:2012/10/21
The mechanism of formation and properties of Li-doped p-type ZnO grown by a two-step heat treatment
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 494-497
作者:
Wang X. H.
;
Yao B.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Wei Z. P.
;
Shen D. Z.
;
Lu Y. M.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:568/143
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提交时间:2012/10/21
Electrical transport properties in nitrogen-doped p-type ZnO thin film
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1522-1526
作者:
Xiao Z. Y.
;
Liu Y. C.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao D. X.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:538/127
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提交时间:2012/10/21
Electrical and structural properties of p-type ZnO : N thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 796-800
作者:
Xiao Z. Y.
;
Liu Y. C.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao D. X.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:753/167
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提交时间:2012/10/21
The structural and optical properties of Cu2O films electrodeposited on different substrates
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 44-49
作者:
Liu Y. L.
;
Liu Y. C.
;
Mu R.
;
Yang H.
;
Shao C. L.
;
Zhang J. Y.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21