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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
出处:Applied Physics Letters
语种:英语
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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提交时间:2021/07/06
Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:
Wang, D.
;
D. Han
;
X. B. Li
;
S. Y. Xie
;
N. K. Chen
;
W. Q. Tian
;
S. B. Zhang and H. B. Sun
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提交时间:2017/09/11
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:
Sun J. H.
;
Zhu D. H.
;
Zhao J. L.
;
Ikezawa M.
;
Wang X. Y.
;
Masumoto Y.
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提交时间:2015/04/24
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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提交时间:2012/10/21
Local chemical states and thermal stabilities of nitrogen dopants in ZnO film studied by temperature-dependent x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 19
作者:
Li X. H.
;
Xu H. Y.
;
Zhang X. T.
;
Liu Y. C.
;
Sun J. W.
;
Lu Y. M.
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提交时间:2012/10/21
Hole transport in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者:
Sun J. W.
;
Lu Y. M.
;
Liu Y. C.
;
Shen D. Z.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Yao B.
;
Zhao D. X.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21