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| Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者: Li, H.; P. Wolf; X. W. Jia; J. A. Lott and D. Bimberg
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| Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者: Wang, D. ; D. Han; X. B. Li; S. Y. Xie; N. K. Chen; W. Q. Tian; S. B. Zhang and H. B. Sun
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| Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者: Chen H. Y.; Liu K. W.; Jiang M. M.; Zhang Z. Z.; Xie X. H.; Wang D. K.; Liu L.; Li B. H.; Zhao D. X.; Shan C. X.; Shen D. Z.
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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H.; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者: Ni P. N.; Shan C. X.; Li B. H.; Shen D. Z.
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| Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者: Xie X. H.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Wang S. P.; Jiang M. M.; Shan C. X.; Zhao D. X.; Chen H. Y.; Shen D. Z.
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| ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 1
作者: Liu J. S.; Shan C. X.; Shen H.; Li B. H.; Zhang Z. Z.; Liu L.; Zhang L. G.; Shen D. Z.
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| Intense upconversion luminescence and origin study in Tm3+/Yb3+ codoped calcium scandate 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 12
作者: Li J.; Zhang J. H.; Hao Z. D.; Zhang X.; Zhao J. H.; Luo Y. S.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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