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Graphene applied to GaN based materals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 7
作者:  Xu, C.-Y.
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Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
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Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain properties of AlN films 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 82-87
作者:  Jia H.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.;  Li D.-B.;  Song H.;  Jiang H.;  Miao G.-Q.;  Li Z.-M.
Adobe PDF(590Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：723/140  |  提交时间：2013/03/27
Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactive DC magnetron sputtering 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 227-232
作者:  Wang X.-J.;  Song H.;  Li D.-B.;  Jiang H.;  Li Z.-M.;  Miao G.-Q.;  Sun X.-J.;  Chen Y.-R.;  Jia H.
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：747/109  |  提交时间：2013/03/27
Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 519-524
作者:  Jia H.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.;  Li D.-B.;  Song H.;  Jiang H.;  Miao G.-Q.;  Li Z.-M.
caj(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：706/128  |  提交时间：2013/03/27