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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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Investigation on the formation mechanism of p-type Li-N dual-doped ZnO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 22
作者:  Zhang B. Y.;  Yao B.;  Li Y. F.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Shen D. Z.
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ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 3
作者:  Jiao S. J.;  Zhang Z. Z.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhang J. Y.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.;  Tang Z. K.
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Ground state splitting of vertically stacked indium arsenide self-assembled quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 3594-3596
作者:  Li S. W.;  Koike K.
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Narrow luminescence lines from self-assembled CdSe quantum dots at room temperature (vol 78, pg 297, 2001) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3749-3749
作者:  Zheng Z. H.
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