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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
收录类别:SCI
出处:Applied Physics Letters
文献类型:期刊论文
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Investigation on the formation mechanism of p-type Li-N dual-doped ZnO
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 22
作者:
Zhang B. Y.
;
Yao B.
;
Li Y. F.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Shan C. X.
;
Zhao D. X.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates
期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 3
作者:
Jiao S. J.
;
Zhang Z. Z.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Yao B.
;
Zhang J. Y.
;
Li B. H.
;
Zhao D. X.
;
Fan X. W.
;
Tang Z. K.
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提交时间:2012/10/21
Ground state splitting of vertically stacked indium arsenide self-assembled quantum dots
期刊论文
Applied Physics Letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 3594-3596
作者:
Li S. W.
;
Koike K.
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提交时间:2012/10/21