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Mo/Si multilayers used for the EUV normal incidence solar telescope 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 406-410
作者:  Liu Z.;  Yang L.;  Chen B.;  Cao J. L.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Efficient white organic light-emitting diodes based on an orange iridium phosphorescent complex 期刊论文
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 10, 页码: 2144-2147
作者:  Chen P.;  Zhao L.;  Duan Y.;  Zhao Y.;  Xie W. F.;  Xie G. H.;  Liu S. Y.;  Zhang L. Y.;  Li B.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：584/148  |  提交时间：2012/10/21