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| Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者: Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Shen, D. Z.
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zinc oxide p-type self-compens-tion doping molecular-beam epitaxy thin-films room-temperature mgzno films diodes nanoparticles modulation gan(0001) inversion epilayers Physics |
| Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 卷号: 50, 期号: 32
作者: Xie, X. H.; B. H. Li; Z. Z. Zhang and D. Z. Shen
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| Organic holographic polymer dispersed liquid crystal distributed feedback laser from different diffraction orders 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2016, 卷号: 49, 期号: 46
作者: Liu, M. H.; Y. G. Liu; G. Y. Zhang; Z. H. Peng; D. Y. Li; J. Ma and L. Xuan
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| ZnO-based ultraviolet avalanche photodetectors 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 30
作者: Yu J. ; Shan C. X.; Huang X. M.; Zhang X. W.; Wang S. P.; Shen D. Z.
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| Hole-mediated ferromagnetic enhancement and stability in Cu-doped ZnOS alloy thin films 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 7
作者: Li Y. F.; Pan H. L.; Yao B.; Deng R.; Xu Y.; Li J. C.; Zhang L. G.; Zhao H. F.; Shen D. Z.; Wu T.
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| Crystal structure and luminescence properties of (Ca2.94-xLuxCe0.06)(Sc2-yMgy)Si3O12 phosphors for white LEDs with excellent colour rendering and high luminous efficiency 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 7
作者: Liu Y. F.; Zhang X.; Hao Z. D.; Lu W.; Liu X. Y.; Wang X. J.; Zhang J. H.
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| A very high efficiency electrophosphorescent device doped with short triplet lifetime phosphor using multi-recombination zones 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 10
作者: Yang D. F.; Han L. L.; Li W. L.; Chu B.; Su Z. S.; Zhang D. Y.; Li T. L.; Zhang G.; Zhu J. Z.
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| Enhanced electroluminescence and reduced efficiency roll-off in electrophosphorescent devices using a very high electron mobility material as emitter host and electron transporter 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 6
作者: Li T. L.; Li W. L.; Chu B.; Su Z. S.; Chen Y. R.; Han L. L.; Zhang D. Y.; Li X.; Zang F. X.; Sum T. C.; Huan A. C. H.
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| Degenerate layer at ZnO/sapphire interface 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 19
作者: Li L.; Shan C. X.; Wang S. P.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
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| Ultraviolet photodiode based on p-Mg0.2Zn0.8O/n-ZnO heterojunction with wide response range 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 10
作者: Li Y. F.; Yao B.; Deng R.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Zhao Y. M.; Jiang D. Y.; Zhang Z. Z.; Shan C. X.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
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