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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Sun J. H.;  Zhu D. H.;  Zhao J. L.;  Ikezawa M.;  Wang X. Y.;  Masumoto Y.
浏览  |  Adobe PDF(1170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：292/54  |  提交时间：2015/04/24
Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 2
作者:  Li Z. L.;  Shan X. N.;  Li Z. W.;  Cao J. S.;  Zhou M.;  Wang Y. D.;  Men Z. W.;  Sun C. L.
Adobe PDF(861Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：490/101  |  提交时间：2012/10/21
Eu3+ ion as fluorescent probe for detecting the surface effect in nanocrystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 20, 页码: 3511-3513
作者:  Yan C. H.;  Sun L. D.;  Liao C. S.;  Zhang Y. X.;  Lu Y. Q.;  Huang S. H.;  Lu S. Z.
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：441/45  |  提交时间：2012/10/21
Fluorescence intensity and color purity improvement in nanosized YBO3 : Eu 期刊论文
Applied Physics Letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 1447-1449
作者:  Wei Z. G.;  Sun L. D.;  Liao C. S.;  Yan C. H.
Adobe PDF(334Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：486/87  |  提交时间：2012/10/21