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Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures 期刊论文
Crystengcomm, 2017, 卷号: 19, 期号: 1
作者:  Li, J. P.;  G. Q. Miao;  Y. G. Zeng;  Z. W. Zhang;  D. B. Li;  H. Song;  H. Jiang;  Y. R. Chen;  X. J. Sun and Z. M. Li
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Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文
Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063
作者:  Liu X. T.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Li Z. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Chen Y. R.
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In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 30
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Zhang Z. W.
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