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Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文
Rsc Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 65
作者:  Liu, J. X.;  H. W. Liang;  B. H. Li;  Y. Liu;  X. C. Xia;  H. L. Huang;  Q. A. Sandhu;  R. S. Shen;  Y. M. Luo and G. T. Du
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Simplified phosphorescent organic light-emitting devices using heavy doping with an Ir complex as an emitter 期刊论文
Rsc Advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 6, 页码: 4261-4265
作者:  Miao, Y. Q.;  X. G. Du;  H. Wang;  H. H. Liu;  H. S. Jia;  B. S. Xu;  Y. Y. Hao;  X. G. Liu;  W. L. Li and W. Huang
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