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The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics  
Dependence of dark current and photoresponse on polarization charges for AlGaN-based heterojunction p-i-n photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2017, 卷号: 214, 期号: 6
作者:  Chen, H. F.;  Y. R. Chen;  H. Song;  Z. M. Li;  H. Jiang;  D. B. Li;  G. Q. Miao;  X. J. Sun and Z. W. Zhang
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