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Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:  X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Interfacial exciplex electroluminescence between diamine derivatives with starburst molecular structure and tris(acetylacetonato)-(mono-phenothroline) thulium 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 470, 期号: 1—2, 页码: 448-451
作者:  He H.;  Li W. L.;  Su Z. S.;  Chu B.;  Bi D. F.;  Chen Y. R.;  Wang D.;  Su W. M.;  Li B.
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Luminescent properties and thermal stability of BaMgAl10O17 : Eu2+ synthesized by sol-gel route 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 454, 期号: 1—2, 页码: 245-249
作者:  Zhu P. F.;  Di W. H.;  Zhu Q. R.;  Chen B. J.;  Zhu H. Y.;  Zhao H. F.;  Yang Y. J.;  Wang X. J.
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